Ferroelektromos dinamikus memóriát, a FeDRAM alapjait fejlesztették ki a Yale Egyetem kutatói. Az új technológia számos előnnyel rendelkezik. Tso-Ping Ma kutató szerint ferroelektromos anyag felhasználásával sikerült FeDRAM-cellát építeniük, mely a flash technológia előnyeit ötvözi. A memória-áramkör felépítése nagyon hasonlít a flashéhez, egyszerűbb felépítésű és sokkal jobb, mint a ma használatos DRAM-cella. Gyártása megoldható a már meglévő eszközökkel. A ferroelektromos anyagok kapuoxidja magas k állandójú (high k) dielektrikumból készül, relatív dielektromos állandójuk még magasabb, mint a mai tranzisztorokba beépített anyagoké. A FeDRAM hússzor kevesebb áramot fogyaszt, még két és félszer kisebb (10 nanométertől alacsonyabb) csíkszélességen is gyártható (olyan apró, mint a flash), gyorsabb; ritkábban, csupán néhány percenként kell frissítést végeznie rajta a rendszernek, cellája nem tartalmaz kondenzátort (egyetlen olyan tranzisztorból áll, melynek kapuoxidja ferroelektromos), és ezerszer tovább őrzi meg adatait a DRAM-hoz viszonyítva. A kutatók – akik most a technológia finomításán dolgoznak – azt remélik, hogy a FeDRAM-ot belátható időn belül gyártásra előkészítik, és az a szén nanocsöves, grafénes vagy az amorf fémes üvegekkel potenciálisan forradalmasított chipkészítő technológiák bevezetéséig forgalomban marad.
